据中国科学院官网,中国科学院上海微体系与信息技能研讨所研讨人员与华东师范大学研讨员袁清红团队等在新式碳基二维半导体资料研讨中获发展。
以石墨烯为代表的碳基二维资料自发现以来受到了广泛重视。不过,石墨烯的零带隙半导体严峻约束了其在微电子器材范畴的使用。
研讨人员经过 5 年尽力,凭借试验技能与理论研讨,在双层 C3N 的带隙、输运等研讨范畴获得打破,进一步证明双层 C3N 在纳米电子学等范畴的重要使用潜力。
据介绍,该作业证明了经过操控堆垛方法完成双层 C3N 从半导体到金属改变的可行。更重要的是,研讨还发现经过施加外部电场可完成 AB 堆垛双层 C3N 带隙的调制。
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